現在の特許活動は、異なるRF半導体デバイスのモノリシック統合、エピスタック、半導体デバイス、パッケージレベルでの熱管理、半導体デバイスと回路レベルでの直線性、回路レベルでの保護、マッチング、歪み補正など、製造と技術の課題を解決する必要があることを示唆しています。

GaN RFのリーディングカンパニーは、中国のIPを過小評価するべからず

RF GaN の特許は、Cree、富士通、住友電工、三菱電機、Intel、MACOM、東芝、Qorvo、Raytheon などのアメリカと日本の企業が独占しています。知財競争は、中国（640件以上）、日本（440件以上）、欧州（250件以上）とは対照的に、米国の特許付与件数が1200件以上と非常に多く、競争が激化しています。しかし、特許取得活動は現在中国に集中しています。

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https://www.gii.co.jp/report/knm969248-rf-gan-patent-landscape.html

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