そして『Cross Point Structure』という専用のデータ構造を用いることで、NANDフラッシュメモリだとデータの消去・書換にブロック単位で行わなければいけなかったのに対し、“セル単位での消去・書換が可能”となる。これにより、従来より圧倒的な早さの読み書きと、製品寿命の向上が実現しているのである。

もちろん、この技術が一般に広く普及するまでにはまだまだ時間がかかるだろう。ただIntelとMicron Technologyは“年内にはサンプル出荷を開始”し、両社ぞれぞれで商品展開をはじめるとのことだ。最初はエンタープライズ市場での利用がメインとなるだろうがが、そう遠くない未来にはコンシューマー市場にも顔を出してくるだろう。

その頃には、我々のコンピュータ周りの体験は今とは比べものにならないほど進歩したものになるかもしれない。