ウィンボンド・エレクトロニクス、2Gb NAND + 2Gb LPDDR4xのマルチチップパッケージをリリース- 5G CPEモデムの本格展開をサポート

半導体メモリソリューションの世界的サプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクスは、1.8V 2Gb NANDフラッシュと1.8V 2Gb LPDDR4xをコンパクトなマルチチップパッケージ（MCP）に搭載した製品を発表。不揮発性フラッシュとハイスピードDRAMの組み合わせによる新製品 W71NW20KK1KW は、コストやメモリ容量の点でスタティックな5Gモデムアプリケーションに最適。

台湾台中市-2019年6月18日-- 半導体メモリソリューションの世界的サプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクスは、1.8V 2Gb NANDフラッシュと1.8V 2Gb LPDDR4xをコンパクトな8.0mm x 9.5mm x 0.8mmのマルチチップパッケージ（MCP）に搭載した製品を発表しました。


ロバストなシングルレベルセル（SLC）NANDフラッシュとハイスピードで低電力のLPDDR4x DRAMを組み合わせた新製品W71NW20KK1KWは、家庭やオフィスでCPE（Customer Premises Equipment）として使用されている5Gセルラーモデムに十分なメモリ容量を提供します。


モバイル5Gモデムは大容量メモリを必要としますが、スタティック5G CPEモデムは2Gb NANDフラッシュと2Gb DRAMで動作可能です。ウィンボンド・エレクトロニクスのW71NW20KK1KWはコンパクトなシングルパッケージ内に二つのメモリを組み合わせて実装しており、5Gモデムメーカは必要最低限の部品と製造コストで5G CPEモデムのシステム要件を満たすことが可能です。


W71NW20KK1KWを組み込んだコストパフォーマンスのよい新世代5G CPEモデムの導入は、高速ブロードバンドネットワークのラストマイルで固定電話回線リンクまたは光xDSLリンクに代わるものとして5Gの消費者採用を後押ししてくれると期待されています 。


ウィンボンド・エレクトロニクスのプロダクトマーケティングマネージャ、Wilson Huang氏は次のように述べています。