「携帯電話市場の次なる成長に向け家庭やオフィスにスタティック５G CPEモデムが設置されつつある中、ウィンボンド・エレクトロニクスの2Gb + 2Gb MCP W71NW20KK1KWは最適です。」


「ウィンボンド・エレクトロニクスは自社工場でNANDフラッシュとLPDDR4xの両製品を製造して、MCPを提供している唯一の半導体メモリメーカです。生産は完全にコントロールされており、W71NW20KK1KWの供給数量、スケジュール、品質、サービス保証に対する顧客のご要望を100%満たす事が出来ます。」


W71NW20KK1KWは、2Gb SLC NANDフラッシュダイと2Gb LPDDR4x DRAMダイからなる149ボールBGA (Ball Grid Array)のMCPです。


W71NW20KK1KWに実装されたロバストなSLC NANDフラッシュは、優れたエンデュランス仕様と高いデータ保持特性を僅か4ビットECCで達成できますが、1ページあたり128Bのスペア領域には8ビットECCを使用するのに十分なスペースがあります。8ビットI/O、1ブロック64ページ、最大25μsのページリード時間、250μsのページプログラム時間です。


[資料: https://files.value-press.com/czMjYXJ0aWNsZSM2MTQyOSMyMjMwMzcjNjE0MjlfcVRWb1BtSmpCdi5wbmc.png ]


LPDDR4x DRAMダイは動作周波数1866MHzで, LVSTL_11インターフェイス、コンカレント動作可能な8つの内部バンクを備えています。最大4267MT/秒のデータ転送速度で、5G携帯電話ネットワークの高速データ転送速度に対応します。


W71NW20KK1KWは現在量産出荷中です。