宇宙通信向けダイヤモンド半導体高周波パワーデバイスの開発を開始 (3/5ページ)
また、チップをパッケージ化し、基板に実装してマイクロ波特性を測定するとともに、電力増幅回路を試作します。信頼性評価、及び宇宙環境での評価を実施して、搭載コンポーネントを開発することにより宇宙実証を目指します。
[資料: https://files.value-press.com/czMjYXJ0aWNsZSM4MDM5NCMzMjk2MDIjODAzOTRfeUNGcVlhcHRSVS5qcGc.jpg ]
＜用語解説＞
*１ 窒化ガリウム（GaN）
窒化ガリウム（GaN）は、青色LEDのために開発された半導体で、シリコン（Si）半導体の3倍のバンドギャップエネルギーをもつことから、照明用途だけに止まらず、高出力で高周波のパワー半導体として研究開発が活発に行われています。JAXAは、窒化ガリウムの宇宙用半導体素子を、世界に先駆けて宇宙実証した実績があります。ダイヤモンドは、シリコン半導体の5倍のバンドギャップエネルギーを持ち、より高い周波数において、高出力の増幅素子を実現できると、予測されています。
*２ 宇宙放射線
地球を取り巻く分厚い大気層に保護されない宇宙空間では、太陽や超新星爆発を起源とする高エネルギーの粒子線が飛び交っています。地球では、鉛1m分に相当する大気がシールドとなって軽減されますが、宇宙空間で運用される人工衛星に搭載された半導体デバイスは、強力な宇宙放射線によって誤動作を引き起こし、最悪の場合、回路に損傷を受け故障する可能性があります。ダイヤモンドは宇宙放射線に対して、最も耐性の高い半導体デバイスとして注目されています。
*３ MOSFET
MOS FETは、メタル(metal)―酸化物（oxide）―半導体(semiconductor) 電界効果トランジスタ（field effect transistor）の略です。
